Найдено 8 товаров
2024 г, Raptor Lake-R, LGA1700, 10 ядер, 16 потоков, частота 4.7/2.5 ГГц, кэш 9.5 МБ + 20 МБ, техпроцесс 10 нм, поддержка DDR5/DDR4, TDP 65W
2024 г, Raptor Lake-R, LGA1700, 10 ядер, 16 потоков, частота 4.7/2.5 ГГц, кэш 9.5 МБ + 20 МБ, техпроцесс 10 нм, поддержка DDR5/DDR4, TDP 65W
2022 г, Alder Lake, LGA1700, 6 ядер, 12 потоков, частота 4.4/2.5 ГГц, кэш 7.5 МБ + 18 МБ, техпроцесс 10 нм, поддержка DDR5/DDR4, TDP 65W
2022 г, Alder Lake, LGA1700, 6 ядер, 12 потоков, частота 4.4/2.5 ГГц, кэш 7.5 МБ + 18 МБ, техпроцесс 10 нм, поддержка DDR5/DDR4, TDP 65W
2021 г, Alder Lake, LGA1700, 10 ядер, 16 потоков, частота 4.9/3.7 ГГц, кэш 9.5 МБ + 20 МБ, техпроцесс 10 нм, поддержка DDR5/DDR4, TDP 125W
2021 г, Alder Lake, LGA1700, 10 ядер, 16 потоков, частота 4.9/3.7 ГГц, кэш 9.5 МБ + 20 МБ, техпроцесс 10 нм, поддержка DDR5/DDR4, TDP 125W
2021 г, Rocket Lake, LGA1200, 6 ядер, 12 потоков, частота 4.4/2.6 ГГц, кэш 12 МБ, техпроцесс 14 нм, TDP 65W
2021 г, Rocket Lake, LGA1200, 6 ядер, 12 потоков, частота 4.4/2.6 ГГц, кэш 12 МБ, техпроцесс 14 нм, TDP 65W
2022 г, Raptor Lake, LGA1700, 24 ядра, 32 потока, частота 5.8/3 ГГц, кэш 32 МБ + 36 МБ, техпроцесс 10 нм, поддержка DDR5/DDR4, TDP 125W
2022 г, Raptor Lake, LGA1700, 24 ядра, 32 потока, частота 5.8/3 ГГц, кэш 32 МБ + 36 МБ, техпроцесс 10 нм, поддержка DDR5/DDR4, TDP 125W
2021 г, Alder Lake, LGA1700, 16 ядер, 24 потока, частота 5.2/3.2 ГГц, кэш 14 МБ + 30 МБ, техпроцесс 10 нм, TDP 241W
2021 г, Alder Lake, LGA1700, 16 ядер, 24 потока, частота 5.2/3.2 ГГц, кэш 14 МБ + 30 МБ, техпроцесс 10 нм, TDP 241W
2022 г, Raptor Lake, LGA1700, 24 ядра, 32 потока, частота 5.8/3 ГГц, кэш 32 МБ + 36 МБ, техпроцесс 10 нм, поддержка DDR5/DDR4, TDP 125W
2022 г, Raptor Lake, LGA1700, 24 ядра, 32 потока, частота 5.8/3 ГГц, кэш 32 МБ + 36 МБ, техпроцесс 10 нм, поддержка DDR5/DDR4, TDP 125W
2021 г, Alder Lake, LGA1700, 16 ядер, 24 потока, частота 5.2/3.2 ГГц, кэш 14 МБ + 30 МБ, техпроцесс 10 нм, TDP 241W
2021 г, Alder Lake, LGA1700, 16 ядер, 24 потока, частота 5.2/3.2 ГГц, кэш 14 МБ + 30 МБ, техпроцесс 10 нм, TDP 241W
